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贸易
icHub/有芯电子
深圳市
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):142mΩ@2.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA -
25/07/30
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PV: 0 成交额: 0
产品号
010648786
ECCN
EAR99
HSCode
8541210000
产品说明书
停产
描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):142mΩ@2.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA -
SKU
MCD24999XS---
类目
包装类型
散包
SPQ
1
产地
--
净重
0.008克
库存分类
--
商品号
B000038816127
商品名
MOSFET
成员
包邮
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履约后4周
优惠
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保证金率
0.00%
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3000
1332
¥70.20
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8541210000 编码 CN8541210000H
  • 名称耗散功率<1W的晶体管(不含光敏晶体管 )
  • 国家中国
  • 监管
  • 检疫
  • 进口税率0.00%
  • 出口税率0.00%
  • 对美税率25.00%
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  • 实物
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