型号 | 厂牌 | 批次 | 货期 | 数量 | 价格 | 盘位 | 商户 | 仓库 | 标签 | 备注 | 更新 | |
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供 | -- | -- | 24,836 | ¥1.9007 | 贸易 | icHub/九维智造 | 深圳市 | Leistungs-MOSFET, IRLML6402TRPBF, Infineon Technologies Diese P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz im Batterie- und Lastmanagement. Features Ultra-niedriger On-Widerstand P-Kanal-MOSFET SOT-23 Fußabdruck | 25/07/31 |
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