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icHub/九维智造
深圳市
Leistungs-MOSFET, IRLML6402TRPBF, Infineon Technologies Diese P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz im Batterie- und Lastmanagement. Features Ultra-niedriger On-Widerstand P-Kanal-MOSFET SOT-23 Fußabdruck
25/07/31
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产品号
001644159
ECCN
EAR99
HSCode
8541290000
产品说明书
停产
描述
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
SKU
MCD24999XS---
类目
包装类型
--
SPQ
1
产地
--
净重
0.008克
库存分类
--
商品号
B000038885051
商品名
MOSFET
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优惠
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保证金率
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1
¥24071.05
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8541290000 编码 CN8541290000H
  • 名称耗散功率≥1W的晶体管(不含光敏晶体管 ),三极管
  • 国家中国
  • 监管
  • 检疫
  • 进口税率0.00%
  • 出口税率0.00%
  • 对美税率25.00%
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  • 实物
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