型号 | 厂牌 | 批次 | 货期 | 数量 | 价格 | 盘位 | 商户 | 仓库 | 标签 | 备注 | 更新 | |
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卖 | -- | 21 | 1,860 | ¥2.8149 | 贸易 | icHub/九维智造 | 深圳市 | Einzelne N-Kanal-Leistung, IRFZ34N, Infineon Technologies 55V Single-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse. Features Planare Zellstruktur für breite SOA Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100kHz schalten Stromgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage Hohe Strombelastbarkeit Qualifizierung nach Industriestandard Hohe Leistung bei niederfrequenten Anwendungen | 25/12/25 |
商户 - 成立
- 成交数 --
- 开户
- 成交额 --
- 退货 履约后4周
- 简介
- 主营业务
- 行业属性
- 地址
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EAR99 ECCN号 EC0001
- 区域中国
- 级别 NLR
- 描述
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8541290000 编码 CN8541290000H
- 名称耗散功率≥1W的晶体管(不含光敏晶体管 ),三极管
- 国家中国
- 监管
- 检疫
- 进口税率0.00%
- 出口税率0.00%
- 对美税率25.00%
- 描述
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- 父类
- 实物 否
- 描述
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成员 - 成交数 --
- 成交额 --
- 应答率
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