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DTA123YE3HZGTL
厂牌:
ROHM
包装:
--
类目:
--
编号:
B000044450424
描述:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
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商品参数
参数项
参数值
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tariffCode
85412100
rohsCompliant
YES
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
合规
AEC-Q101
电阻比 R1/R2
0.22电阻比率
集电极发射电压, Vceo
-50V
基极-发射极电阻R2
10kohm
hazardous
false
rohsPhthalatesCompliant
YES
数字晶体管极性
单路PNP
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
引脚数
3引脚
usEccn
EAR99
集电极发射极电压最大值NPN
-
基极输入电阻 R1
2.2kohm
连续集电极电流
100mA
euEccn
NLR
集电极连续电流
-100mA
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管封装类型
SOT-416
功率耗散
150mW
晶体管极性
单个PNP
productTraceability
No
射频晶体管封装
SOT-416
直流电流增益hFE最小值
33hFE
晶体管安装
表面安装