IPB020NE7N3 G-VB

厂牌：VBsemi(微碧半导体)

包装：Tape 1000

类目：元器件 > 分立器件 > MOSFET

编号：B000044682881

描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；350A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SJ_Multi-EPI技术；

商品参数

参数项参数值

导通电阻(RDS(on))1.2(mΩ)@VGS=10V

工艺技术SJ_Multi-EPI技术

栅源电压(VGS)±20V

沟道类型N—Channel沟道

漏源击穿电压(VBR(DSS))100V

连续漏极电流(ID)350A

阈值电压(VGS(th))3V

封装类型TO-263