VBI1322E

厂牌：VBsemi(微碧半导体)

包装：Tape 1000

类目：元器件 > 分立器件 > MOSFET

编号：B000044682961

描述：台积电流片，长电科技封装；SOT89；N—Channel沟道；30V；6.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；

商品参数

参数项参数值

导通电阻(RDS(on))22(mΩ)@VGS=4.5V

工艺技术Trench技术

栅源电压(VGS)±20V

沟道类型N—Channel沟道

漏源击穿电压(VBR(DSS))30V

连续漏极电流(ID)6.8A

阈值电压(VGS(th))1.7V

封装类型SOT-89