IXTH20N60-VB

厂牌：VBsemi(微碧半导体)

包装：Tape 300

类目：元器件 > 分立器件 > MOSFET

编号：B000044683067

描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；15A；RDS(ON)=300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；

商品参数

参数项参数值

导通电阻(RDS(on))300(mΩ)@VGS=10V

工艺技术SJ_Multi-EPI技术

栅源电压(VGS)±30V

沟道类型N—Channel沟道

漏源击穿电压(VBR(DSS))650V

连续漏极电流(ID)15A

阈值电压(VGS(th))3.5V

封装类型TO-247