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JCS2N60FA-O-F-N-B-VB
厂牌:
VBsemi(微碧半导体)
包装:
Tape 1000
类目:
元器件 > 分立器件 > MOSFET
编号:
B000044685486
描述:
台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=1700(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
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商品参数
参数项
参数值
参数项
参数值
导通电阻(RDS(on))
1700(mΩ)@VGS=10V
工艺技术
Planar技术
栅源电压(VGS)
±30V
沟道类型
N—Channel沟道
漏源击穿电压(VBR(DSS))
650V
连续漏极电流(ID)
2A
阈值电压(VGS(th))
3.5V
封装类型
TO-220F