RU75110Q-VB

厂牌：VBsemi(微碧半导体)

包装：Tape 300

类目：元器件 > 分立器件 > MOSFET

编号：B000044685622

描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；80V；215A；RDS(ON)=2.9(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.14V；采用SGT技术；

商品参数

参数项参数值

导通电阻(RDS(on))2.9(mΩ)@VGS=10V

工艺技术SGT技术

栅源电压(VGS)±20V

沟道类型N—Channel沟道

漏源击穿电压(VBR(DSS))80V

连续漏极电流(ID)215A

阈值电压(VGS(th))3.14V

封装类型TO-247