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IRF530NPBF
厂牌:
Infineon Technologies AG
包装:
TUBE 1
类目:
元器件 > 分立器件 > MOSFET
编号:
B000045755666
描述:
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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Version
N channel
drain-source on resistance RDS (on) max @VGS=10V
90
Gate Charge Qg @10V (nC)
0
Enclosure
TO-220
max. Voltage
100
Max. current
17
max. operating temperature
175
min. operating temperature
-55
Assembly
THT
Power loss
70
Moisture Sensitivity Level
1 (Unlimited)