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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

厂牌：ON Semiconductor
包装：REEL 1
类目：元器件 > 分立器件 > IGBT晶体管
编号：B000046152353
描述：IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA
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tariffCode85412900
rohsCompliantY-EX
hazardousfalse
rohsPhthalatesCompliantYES
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
usEccnEAR99
最大集电极发射电压1.2kV
集电极-发射极饱和电压2.5V
连续集电极电流5.3A
euEccnNLR
晶体管封装类型TO-252AA
功率耗散60W
productTraceabilityNo
晶体管安装表面安装