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RGT8BM65DGTL1
厂牌:
ROHM Semiconductor
包装:
--
类目:
元器件 > 其他器件 > 其他模块
编号:
B000046423511
描述:
5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
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商品参数
参数项
参数值
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tariffCode
85412900
rohsCompliant
Y-EX
hazardous
false
rohsPhthalatesCompliant
YES
针脚数
3引脚
isCanonical
N
工作温度最高值
175°C
产品范围
Field Stop Trench Series
usEccn
EAR99
最大集电极发射电压
650V
集电极-发射极饱和电压
1.65V
连续集电极电流
12A
euEccn
NLR
晶体管封装类型
TO-252GE
功率耗散
62W
productTraceability
No
晶体管安装
表面安装
SVHC
To Be Advised
Moisture Sensitivity Level
1 (Unlimited)