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DTA123YE3HZGTL
厂牌：ROHM
包装：--
类目：--
编号：B000048000233
描述：Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
商品参数
参数项参数值
参数项参数值
tariffCode85412100
rohsCompliantYES
集电极发射极电压最大值 PNP50V
合规AEC-Q101
电阻比 R1/R20.22电阻比率
集电极发射电压, Vceo-50V
基极-发射极电阻R210kohm
hazardousfalse
rohsPhthalatesCompliantYES
数字晶体管极性单路PNP
工作温度最高值150°C
产品范围-
引脚数3引脚
usEccnEAR99
集电极发射极电压最大值NPN-
基极输入电阻 R12.2kohm
连续集电极电流100mA
euEccnNLR
集电极连续电流-100mA
汽车质量标准AEC-Q101
晶体管封装类型SOT-416
功率耗散150mW
晶体管极性单个PNP
productTraceabilityNo
射频晶体管封装SOT-416
直流电流增益hFE最小值33hFE
晶体管安装表面安装