新品推介：GaN功率放大器芯片MH1308

2023年9月4日，浩瀚芯光新推出一款 X 波段 GaN 大功率放大器芯片MH1308，工作频率覆盖 8 GHz~12 GHz。芯片采用双电源供电，典型工作电压为 VD=+28V， VG=-2.9V ；连续波模式下可提供 26dB 小信号增益和 45dBm 饱和输出功率，同时具有40%的典型附加效率。

该芯片可以被应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中。

该芯片采用境内国产工艺制造，能够满足国产化需求。

性能特点

典型测试曲线——脉冲模式(VD Pulsed)，脉宽（PW）=100μs，占空比（Duty Cycle） =10%

典型测试曲线——连续波模式(CW)

参考电路

使用说明：

1、芯片建议采用钼铜作为载片，优先采金锡烧结，确保散热和接地良好。

2、射频端口采用2根直径为25μm的金丝键合，建议金丝长度400μm~600μm。

3、直流供电采用双偏置供电，采用100pF芯片滤波电容和0.1μF陶瓷滤波电容，滤波电容的耐压值要大于50V。

4、VD1端口需键合3根Φ25μm金丝，VD2端⼝需键合2根Φ25μm金丝，直流焊盘金丝长度控制在1500μm以内。

5、脉冲应用时，VD端口只保留100pF滤波电容。

6、注意散热设计，防止芯片结温过高。

键合压点定义