引言：生成式 AI 硬件的成本结构正在发生一次分配转移。摩根士丹利测算，VR200 整机柜成本较上一代 GB300 上升 95.3% 至 780 万美元，其中 GPU 占比由 63.1% 降至 50.7%，机外存储占比由 9.4% 升至 25.7%。算力芯片仍是金额最大的单项，但增量已经转向存储、高速互连、供电与被动器件。

 

一、成本结构的两级解构

 

1.1 整机柜级：780 万美元的分配变化

 

VR200 NVL72 整机柜 BOM 结构（来源：摩根士丹利，单位：万美元）

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从分配结果中可以读出四项结构性变化。

 

变化一

GPU 占比下降，绝对金额仍在上行

单颗 Rubin GPU 定价约 5.5 万美元，较上一代提升 57%，单机柜集成 72 颗，GPU 小计接近 400 万美元。占比由 63.1% 降至 50.7%，是配套子系统成本增速快于 GPU 本身所致，并不代表 GPU 重要性下降。

 

变化二

存储是金额增量最大的单一环节

每机柜 LPDDR5X 容量由 GB200 的 17TB 增至 54TB，约为原来的三倍，并新增 Blackwell 世代几乎不存在的 3D NAND 存储层，价值超过 100 万美元。SemiAnalysis 测算英伟达一季度 LPDDR5X 采购价约 8 美元/GB，仅模组采购金额即约 40.8 万美元，且价格仍处于上行通道。

 

变化三

网络与 PCB 的价值提升来自设计变更

NVLink 交换芯片与配套网络芯片分别增长 122% 与 121%，主要来自 1.6T 高速互连的导入。PCB 价值量增长 233%，由计算板由 22 层 HDI 升级至 26 层、交换托盘由 24 层提升至 32 层、新增 44 层中板三项变更共同驱动，覆铜板材料等级同步由 M7 升级至 M8。层数与材料双升叠加新模块导入，使 PCB 单价与毛利率系统性上移。

 

变化四

被动件与供电单体金额小，增速显著

MLCC 单机柜价值由 1,530 美元升至 4,320 美元，增幅 182%；ABF 载板增长 82%，电源系统增长 32%，液冷散热增长 12%。液冷金额增幅有限，但架构上已全面转向液冷并取消风扇，对散热链路供应商的结构性影响大于金额本身。

 

1.2 超级芯片级：单颗 38,902 美元的分解

 

超级芯片（1×Vera CPU 与 2×Rubin GPU）成本拆解（来源：瑞银）

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作为对照，GB300超级芯片总成本18,203美元，其中内存9,714美元，占比 53%，最值得注意的是CPU相关零部件数据。

 

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二、供给约束：占比之外的第二根轴

 

2.1 存储：金额最大，议价空间最小

 

存储约25.7%-62%的价值量，供给集中在三星、SK 海力士与美光三家。价格与交期由原厂直接主导，下游议价空间有限。可着力的位置在周边配套，包括存储模组配套的连接器、PMIC 与去耦电容；小批量、多批次的补充供应可通过现货与代购渠道解决。

 

2.2 MLCC：用量、规格与供给的三重变化

 

被动器件是本轮成本变化中供给弹性最弱的环节，变化同时体现在用量与规格两个维度，且供给端响应周期远长于需求增长速度。

 

各平台或形态的单机 MLCC 用量


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2.3 高端 VRM 与 DrMOS：供给由四家把持

 

GPU 主板末端供电的高端 VRM 与 DrMOS 目前由 MPS、ADI、infineon、TI把持，国产厂商多处于认证导入阶段。该环节的金额被计入 GPU 与主板，不单独出现在整机柜 BOM 中，却属于不可替代的末端环节。设计侧可提前布局具备国际一线对标能力的国产器件方案，为后续替代预留验证窗口。

 

三、端侧生成式 AI：第二条需求曲线

 

云端机柜之外，AI PC 与 AI 眼镜正在形成第二条元器件需求曲线。三者的成本结构差异明显：云端以存储与算力芯片为主，AI PC 以内存为主，AI 眼镜以光学与主控为主。同一套代理品牌组合在不同场景中的排序并不相同，需要分别评估。

 

3.1 AI PC：内存成为第一大成本项

 

微软对 AI PC 的定义为 16GB 内存与 40 TOPS 算力，这一门槛把内存推升为最大成本项，内存占 BOM 比重由 15% 升至 35%。DRAM 与 NAND 价格预计到 2026 年底上涨 130% 以上，IDC 因此预计 2026 年全球 PC 出货量下降约 9%；同期 AI PC 出货量预计达 1.5 亿台，占全部 PC 的 59%，呈出货量增长与单机成本上升并存的状态。

 

3.2 AI 眼镜：光学模组与主控芯片占据主导

 

AI眼镜及代表机型的 BOM 成本结构

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四、有芯电子代理品牌的落料点

 

4.1 有芯电子代理品牌选型矩阵

 

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4.2 主力品牌：已进入 AI 服务器供应链

 

ROHM 罗姆

已列入英伟达 800V HVDC 关键硅供应商名单

RY7P250BM 为 100V 功率 MOSFET，8080 小型封装，导通电阻低至 1.86mΩ，SOA 表现业内领先，面向 48V 电源系统热插拔电路，已被全球主流云平台企业认证为推荐器件；

 

SCT4013DLL 为 750V SiC MOSFET，已应用于 AI 服务器 ±400V 供电架构的电池备份单元（BBU）；

 

EcoGaN 系列的 GNP2070TD 等 650V GaN HEMT 在 FOM 指标上业内领先，配合 Nano Pulse Control 技术可将脉冲宽度压缩至 2ns；

 

HSDIP20 为 1200V 四合一与六合一 SiC 塑封模块，顶部散热结构，面向 AC-DC 的 LLC 拓扑与 DC-DC 原边应用，适配 800V 母线。生态位上，罗姆已进入英伟达白名单，与电源厂商台达在 PSU 领域深度合作，并与地平线、新石等 MCU 厂商配套电源方案。

 

策略层面，罗姆同时支持英伟达主推的 800V 路线与国内厂商主力的 ±400V 路线，器件方案可双向覆盖。在系统架构尚未收敛的阶段，这一兼容性可降低设计方的选型风险，无需等待架构最终定型即可启动器件评估。

 

新洁能

第三代 SGT MOS 已批量进入服务器电源

 

N150V 第三代 SGT MOS 平台的器件综合性能优值较业界同规格最优竞品低 25% 以上，已在服务器电源等领域大批量使用；

 

N40V 第三代 SGT 已全面量产，应用包含大功率数据中心；

 

N25V 第三代平台处于可靠性验证阶段，目标市场为 AI 算力与大功率数据中心。产品已导入 E-Fuse 与液冷相关的服务器细分应用并逐步销售，型号超过 4,000 款，电压覆盖 12V 至 1700V，12 英寸产线产能持续释放。

 

4.3 配套品牌：供电链路与国产替代

 

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4.4 端侧设备的分散器件需求

 

AI 眼镜与 AI 终端的 BOM 中，光学与主控占据约七成，剩余三成元器件高度分散。这部分器件单价低、品类多，任一缺料都可能拖慢整机研发节奏，且原厂对小批量、多品类需求的响应有限，采购侧通常需要依托分销渠道完成配套。

 

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五、选型与采购建议

电源链路按整条链逐级落料（有芯电子代理线）

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先确认母线架构，再锁定功率器件

英伟达主推 800V 高压直流，国内厂商多以 ±400V 为主，罗姆的器件方案可双向覆盖，在架构尚未收敛的阶段能降低选型风险。

 

端侧与服务器分开评估，长尾器件提前建第二供应源

AI 眼镜的 BOM 以光学与计算为主，与服务器的存储、互连、供电逻辑差异显著。光学与主控之外的剩余三成器件品类分散，长晶、微碧、长江、维安、国星与领麦微可覆盖其中的主要品类。

 

长周期料提前锁定，优先使用现货与小批量渠道

当前 MLCC 交期已达 10 至 14 周，高端产线需 18 至 24 个月才能放量，工业级渠道库存低于 30 天，DRAM 与 NAND 价格预计年底前上涨 130% 以上。建议在方案阶段同步启动长周期料的锁量与备货沟通，并预留现货渠道作为补充，以降低样机与首产阶段的交期风险。

 

BBU 与液冷是两个新增落料点

罗姆 750V SiC 已落地 ±400V BBU 方案，其配套的 BMS、检测、保护与连接器均属新增需求。液冷方面，新洁能已导入相关应用，液冷全面化还将带动温度与漏液检测、保护器件与连接器的新增用量。