共模半导体首款升压芯片GM62002:升压+H桥驱动,3mm²全搞定
新品发布
GM62002
电池供电的小空间系统常遇到同一个矛盾:后级器件需要高压或驱动能力,前级只有一节锂电或USB供电。GM62002面向的正是这类系统:供电来自电池,输出需要10V以上,同时还要驱动直流电机或相机快门,这类系统过去要准备两套电源方案,升压一套、驱动一套。
GM62002 是共模半导体针对热成像应用发布的第一款升压PMIC芯片,它将「15V Boost 升压」和「5.5V / 1A H 桥驱动」整合进单颗芯片。
过去「升压控制器/模块 + 驱动 IC + 分立桥臂 MOS 」的组合方案,如今一颗 GM62002 全部接管。省掉的,不只是几颗器件,更是面积、BOM 和调试工时。
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核心优势
1.小尺寸:LGA-15封装,1.5mm×2mm×0.55mm
15引脚LGA封装,外形1.5mm×2mm×0.55mm,封装面积3mm²。0.55mm的封装高度可平铺进电池与屏蔽罩之间的夹层;1MHz/2MHz的开关频率使外围同步小型化,电感4.7μH到10μH、输入电容1μF以上、输出电容4.7μF到10μF即可构成完整方案。
2. Boost输出效率高:7V输出峰值约93%
实测效率曲线读数:VIN=5V、VOUT=7V时中重负载段效率约88%到93%,峰值约93%;VIN=3.3V、VOUT=7V时约85%到92%;输出升到14V,VIN=5V下仍保持约86%到90%。静态电流41μA(典型值),关机电流最大3μA,轻载待机段的损耗同样得到控制。
3. 单芯片集成升压与驱动,系统成本更低
芯片内含15V Boost(20V主开关与输入/输出隔离开关)和1A H桥驱动。相比“升压控制器/模块+驱动IC+分立桥臂MOS”的组合,省去外置功率管、栅极驱动与负载开关,物料数量、占板面积与调试项同步减少;隔离开关在关断模式下提供真正的负载断开,不需要额外增加负载开关。
PART 02
典型应用

图 1. GM62002 典型应用
PART 03
核心技术规格

PART 04
方案对比:
TPS61170+DRV8837 vs GM62002

注:DRV8837为 TI 的 H 桥电机驱动,TPS61170 为 TI 的 Boost 升压控制器。上表为「Boost + H 桥分立组合」与 GM62002 单芯片方案的结构性对比。
PART 05
典型应用场景
01
红外设备:
红外探测器常需要7V以上的驱动电压,Boost输出可直接供给探测器,H桥可用于驱动快门挡片。
02
电池供电系统:
单节锂电的放电曲线(2.5V到5.5V)落在输入窗口内,可升压至7V到14.4V区间输出。
PART 06
PCB布局建议
1.电感、输入电容、输出电容尽量靠近芯片,SW引脚走线短而宽、覆铜面积小;
2.输出电容回到GND引脚的电流回路尽量小,这是升压拓扑最关键的回路;
3.VCC与VM各用一颗0.1μF电容紧贴引脚放置;
4.芯片下方布置完整地平面,底层地平面通过过孔与顶层接地引脚短接。
PART 07
订购指南

*Z后缀表示符合RoHS与HF标准。
PART 08
结语
GM62002以1.5mm×2mm×0.55mm的LGA-15封装,把15V升压变换器与1A H桥驱动器整合进单颗芯片,在省去分立方案多颗器件的同时保持约93%的峰值效率,为空间紧张、由电池供电且需要高压输出或电机驱动能力的应用提供了单芯片选择。

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