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原厂专卖
LU014N-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 4000
类目：
编号：B000044670060
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；60V；35A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交1单+
SM2604NSC-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044672020
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-6；N—Channel沟道；30V；6A；RDS(ON)=26(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交43单+
10NM60ND-VBTO252
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044680626
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；9A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交18单+
12N65L-TF3-T-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044679192
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=680(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交48单+
FDP61N20-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044670859
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；200V；80A；RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=4V；采用Trench技术；
1000:¥6.3680
3000:¥6.2407
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥6368.00
近期成交18单+
STW48N60M2-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 300
类目：
编号：B000044682224
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；47A；RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥19.8933
900:¥19.4954
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥5967.99
近期成交24单+
FDP12N50NZ-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044677607
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；9A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交43单+
SPD15P10PLG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044669676
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-100V；-16A；RDS(ON)=100(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
2500:¥1.9947
7500:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4986.75
近期成交25单+
VBZ123
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044669755
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；100V；0.26A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.5V；采用Trench技术；
3000:¥0.2026
9000:¥0.1985
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥607.80
近期成交5单+
2SK2059-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673221
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交23单+
AM3401RA-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044668693
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-30V；-5.6A；RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交28单+
DMG7702SFG-13-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044684993
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；30V；30A；RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
5000:¥1.3333
15000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥6666.50
近期成交41单+
IRFR120ATM-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044669381
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；15A；RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交36单+
22N10-VBTO252
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044679768
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；15A；RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交9单+
VBL2625
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044670407
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-60V；-80A；RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交6单+
IRL640A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044683567
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；200V；30A；RDS(ON)=110(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交36单+
2SK1008-01-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674531
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交38单+
GA20SICP12-247-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044683849
描述：台积电流片，长电科技封装；SIC;TO247；N—Channel沟道；1200V；60A；RDS(ON)=40(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +22V；Vthtyp(V)=2~4V；采用SiC-S技术
300:¥23.8720
900:¥23.3945
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥7161.60
近期成交40单+
RFP40N10LE-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044671316
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；55A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交31单+
IXFH22N60P-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 300
类目：
编号：B000044684603
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；15A；RDS(ON)=300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥9.3013
900:¥9.1154
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2790.39
近期成交49单+
IXTP3N50P-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044685089
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交23单+
CED6426-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 4000
类目：
编号：B000044672613
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；60V；35A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交34单+
FDC6420C-NL-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044675770
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-6；N+P—Channel沟道；±20V；5.5/3.4A；RDS(ON)=22/55(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.0/-1.2V；采用Trench技术；
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交3单+
PMV40UN2R-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044679715
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交7单+
J239-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044685132
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-30A；RDS(ON)=61(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
5000:¥1.4613
15000:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥7306.50
近期成交2单+
IRLI520NPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044669149
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；100V；18A；RDS(ON)=86(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交33单+
H04N60F-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044681838
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2560(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交36单+
R6020ENZ1C9-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044674552
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交34单+
IRFBC20STRR-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044685042
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交27单+
SIHG22N60EL-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044676578
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交40单+