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原厂专卖
UTT25P10L-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044670331
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；P—Channel沟道；-100V；-18A；RDS(ON)=167(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交33单+
6R600P6-VBTO220
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044683097
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；9A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交48单+
FMV21N50ES-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675495
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥7.9573
3000:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥7957.30
近期成交37单+
2SK2782-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044666593
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；45A；RDS(ON)=25(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交22单+
H02N60J-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673096
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交23单+
STD105N10F7AG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044677884
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；55A；RDS(ON)=11.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用SGT技术；
2500:¥2.2614
7500:¥2.2160
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥5653.50
近期成交13单+
SN7002N-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044673056
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；60V；0.3A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.1387
9000:¥0.1358
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥416.10
近期成交50单+
SI7923DN-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044681716
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-B；P+P—Channel沟道；-30V；-6.4A；RDS(ON)=38(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
5000:¥1.9947
15000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9973.50
近期成交48单+
BUK763R8-80E,118-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044680397
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；80V；215A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥3.5840
3000:¥3.5122
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3584.00
近期成交11单+
SI1967DH-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044667005
描述：台积电流片，长电科技封装；SC70-6；P+P—Channel沟道；-20V；-1.8A；RDS(ON)=155(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±12V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交7单+
SM2307PSAC-TRG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044671152
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-30V；-5.6A；RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交30单+
TPC8026-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044668298
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；30V；18A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.1307
12000:¥1.1081
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4522.80
近期成交2单+
CEU20N06-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673023
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；45A；RDS(ON)=25(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交27单+
2SK3869-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678397
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=680(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交34单+
BSC022N03SG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044675038
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；30V；160A；RDS(ON)=1.8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
5000:¥2.3893
15000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥11946.50
近期成交24单+
FMV11N60ES-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044680388
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=320(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交39单+
IPA65R095C7-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044672209
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；32A；RDS(ON)=85(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥12.5974
3000:¥12.3454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥12597.40
近期成交45单+
UT70N03L-TN3-T-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044671068
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；100A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交25单+
BUK481-60A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673173
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT223；N—Channel沟道；60V；4.5A；RDS(ON)=76(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.8000
7500:¥0.7840
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2000.00
近期成交36单+
AP9487M-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044682210
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；100V；9A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
4000:¥1.4613
12000:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5845.20
近期成交7单+
FCP21N60N-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044677438
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交2单+
IRFU310A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044682825
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交15单+
FQU2N60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 4000
类目：
编号：B000044682934
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交48单+
HMS21N70-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044685497
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥7.9573
3000:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥7957.30
近期成交29单+
IRF7530TRPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044683147
描述：台积电流片，长电科技封装；MSOP8；N+N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.6V；采用Trench技术；
4000:¥1.6000
12000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥6400.00
近期成交7单+
2SK3491-TL-E-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044676707
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交24单+
NCE0159-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044666407
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；100A；RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交1单+
K3484-ZK-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044680730
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；15A；RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
5000:¥1.1946
15000:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥5973.00
近期成交14单+
STP15810-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044680701
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；180A；RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥5.3120
3000:¥5.2058
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥5312.00
近期成交10单+
2SK3984-ZK-E2-AZ-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044679458
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；15A；RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交38单+