SiHF624-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044675327
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;250V;4.4A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交26单+
RU40L10H-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044675741
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-40V;-8A;RDS(ON)=17.6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交29单+
TK4R9E15Q5-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044681763
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;150V;140A;RDS(ON)=5.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用SGT技术;
1000:¥5.3120
3000:¥5.2058
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥5312.00
近期成交11单+
FTA02N60C-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672043
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=1700(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交34单+
IPD105N04LG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044675969
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;40V;85A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交40单+
82N055-VBTO262
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044675917
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;60V;120A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交47单+
VBMB2104N
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679564
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;P—Channel沟道;-100V;-50A;RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交39单+
D5NK40Z-1-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044676744
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;5A;RDS(ON)=950(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
4000:¥1.9947
12000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7978.80
近期成交36单+
APM1110NUC-TRG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044670564
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;100V;15A;RDS(ON)=114(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交24单+
STU668S-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044667718
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;97A;RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
2500:¥2.3893
7500:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥5973.25
近期成交17单+
K1880STL-E-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044686345
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交38单+
BUK9615-100E-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044682285
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;100V;100A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交46单+
2SK3767_06-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044685586
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=1700(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交43单+
PSMN2R6-60PS127-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679621
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;270A;RDS(ON)=2.1(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥4.2453
3000:¥4.1604
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4245.30
近期成交6单+
APT6029BFLLG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044686120
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;600V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交21单+
SUD40N08-16-E3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044676553
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;80V;75A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交25单+
BSP171PH6327XTSA1-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044671060
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT223;P—Channel沟道;-60V;-7A;RDS(ON)=55(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.5254
7500:¥1.4948
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3813.50
近期成交24单+
IPP47N10S-33-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674137
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;100V;55A;RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交28单+
AON6246-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044666749
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;60V;80A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
5000:¥3.3172
15000:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥16586.00
近期成交5单+
CMD100P03-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044678550
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-30V;-60A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;采用Trench技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交2单+
IRLZ44NS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044669191
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;60V;50A;RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交3单+
CED4060AL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044670345
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;60V;35A;RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交43单+
HM6803-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044674922
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-6;P+P—Channel沟道;-20V;-4A;RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=-0.6V;采用Trench技术;
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交4单+
MDS9753EURH-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044669876
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+P—Channel沟道;±60V;5.3/-4.9A;RDS(ON)=26/55(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8/-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.6000
12000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥6400.00
近期成交9单+
J657-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044676272
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;P—Channel沟道;-100V;-50A;RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交24单+
PMGD780SN,115-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044683985
描述:台积电流片,长电科技封装;SC70-6;N+N—Channel沟道;60V;0.35A;RDS(ON)=1800(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2026
9000:¥0.1985
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥607.80
近期成交32单+
IPW60R090CFD7-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044677231
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;600V;32A;RDS(ON)=85(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥14.3253
900:¥14.0388
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥4297.59
近期成交36单+
SIA922EDJ-T1-GE3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044675288
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN6(2X2)-B;N+N—Channel沟道;30V;5.8A;RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥1.9947
9000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥5984.10
近期成交39单+
DMN6068LK3-13-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044669046
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;18A;RDS(ON)=73(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交5单+
SSM3J304T-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044674589
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-20V;-4A;RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=-0.8V;采用Trench技术;
3000:¥0.1600
9000:¥0.1568
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥480.00
近期成交38单+
