CEF07N65A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674579
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;7A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交1单+
SI4435BDY-T1-E3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044673025
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-30V;-9A;RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交19单+
AOD406-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044675891
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;30V;100A;RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交45单+
K1378-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044682340
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;18A;RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交10单+
15NM65N-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044680946
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;15A;RDS(ON)=220(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交45单+
AOT095A60L-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670968
描述:TO220;N—Channel沟道,600V;34A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V;
1000:¥14.3253
3000:¥14.0388
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥14325.30
近期成交47单+
SSF2336-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044681404
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;20V;6A;RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
3000:¥0.1600
9000:¥0.1568
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥480.00
近期成交14单+
2SJ506STR-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044684782
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-30V;-38A;RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交27单+
ZXMP4A16GTA-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044666776
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT223;P—Channel沟道;-40V;-6.2A;RDS(ON)=40(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交28单+
BSL215C-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044667802
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-6;N+P—Channel沟道;±20V;5.5/3.4A;RDS(ON)=22/55(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.0/-1.2V;采用Trench技术;
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交42单+
20N60-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674575
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥7.9573
3000:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥7957.30
近期成交23单+
UT3N06L-AE3-R-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044672533
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;60V;4A;RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交6单+
AO4932-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044667636
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;30V;8A;RDS(ON)=8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交4单+
AON7932-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044683280
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3)-C;N+N—Channel沟道;30V;35A;RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.8666
15000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9333.00
近期成交20单+
B15S60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679862
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;15A;RDS(ON)=300(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交19单+
80N10L-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672427
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;100V;100A;RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交13单+
NX6008NBKSX-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044681027
描述:台积电流片,长电科技封装;SC70-6;N+N—Channel沟道;60V;0.3A;RDS(ON)=2500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2026
9000:¥0.1985
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥607.80
近期成交5单+
FS14VS-9-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044683376
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;9A;RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交47单+
IRF9952TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044675003
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+P—Channel沟道;±30V;±8A;RDS(ON)=18/40(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.6/-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交29单+
PHB32N06LT-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044667096
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;60V;50A;RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交26单+
SI9958DY-T1-E3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044671271
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+P—Channel沟道;±30V;±8A;RDS(ON)=18/40(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.6/-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交50单+
FDPF5N50NZU-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044685293
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2560(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交31单+
IRFPS37N50APBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044680715
描述:台积电流片,长电科技封装;TO3P;N—Channel沟道;600V;47A;RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥19.8933
900:¥19.4954
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥5967.99
近期成交26单+
FDS4897C-NL&40V-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044670825
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+P—Channel沟道;±60V;5.3/-4.9A;RDS(ON)=26/55(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8/-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.6000
12000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥6400.00
近期成交41单+
FS7SM-12-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044682966
描述:台积电流片,长电科技封装;TO3P;N—Channel沟道;600V;11A;RDS(ON)=380(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥10.6133
900:¥10.4012
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥3183.99
近期成交30单+
AM4841P-T1-PF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044671312
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-40V;16.1A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交40单+
IPI60R165CP-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670415
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;600V;20A;RDS(ON)=150(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥7.2961
3000:¥7.1502
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥7296.10
近期成交23单+
IXFP16N60P3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044681673
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;9A;RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交17单+
FDD8750-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044677763
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;30V;70A;RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交2单+
PHP44N06T-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672826
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;50A;RDS(ON)=24(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.1946
3000:¥1.1708
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1194.60
近期成交3单+
