K1624-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044684787
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交44单+
IRFI540NPBF&40V-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044667014
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;100V;50A;RDS(ON)=34(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交16单+
IRLR8726TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044668754
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;30V;100A;RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交13单+
2SK3113-Z-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044682008
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交24单+
ME9926A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044675673
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;20V;7.1A;RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
4000:¥0.8000
12000:¥0.7840
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3200.00
近期成交11单+
STB85NF3LL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044683603
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;30V;98A;RDS(ON)=2.4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交45单+
IPD90P04P405ATMA1-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044666964
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-40V;-90A;RDS(ON)=6.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
2500:¥3.3172
7500:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥8293.00
近期成交4单+
IRFHS9301TR2PBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 300
类目:
编号:B000044679541
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN6(2X2);P—Channel沟道;-30V;-10A;RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
300:¥1.0667
900:¥1.0454
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥320.01
近期成交9单+
FQP7N10-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044671662
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;100V;18A;RDS(ON)=127(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交28单+
FDMS8622-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044669790
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;100V;30A;RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交23单+
SQD50P04-13L-GE3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044668853
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-40V;-50A;RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交31单+
P4006DV-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044677083
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-60V;-10A;RDS(ON)=25(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.9947
12000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7978.80
近期成交12单+
FDB15N50-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044671594
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;18A;RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交42单+
IPB80N06S2-09-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679250
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;60V;150A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交14单+
HAF2005-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044669631
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;60V;45A;RDS(ON)=27(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交3单+
BSC034N06NS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044685844
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;60V;100A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交14单+
BSZ520N15NS3G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044686470
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);N—Channel沟道;150V;25.5A;RDS(ON)=35(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
5000:¥3.7227
15000:¥3.6483
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥18613.50
近期成交18单+
IPTC017N12NM6-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1200
类目:
编号:B000044676674
描述:台积电流片,长电科技封装;TOLT-16;N—Channel沟道;100V;415A;RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
1200:¥15.9147
3600:¥15.5964
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1200增量: 1200
小计: ¥19097.64
近期成交3单+
CJ8810-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044671337
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;20V;6A;RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
3000:¥0.1600
9000:¥0.1568
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥480.00
近期成交48单+
IRL3715LPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044677018
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;20V;95A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
1000:¥1.7280
3000:¥1.6935
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1728.00
近期成交23单+
NTP18N06LG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044677279
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;20A;RDS(ON)=72(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.1307
3000:¥1.1081
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1130.70
近期成交4单+
NVTR01P02LT1G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044672666
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-20V;-4A;RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=-0.8V;采用Trench技术;
3000:¥0.1600
9000:¥0.1568
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥480.00
近期成交24单+
PMV88ENEAR-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044679236
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;60V;4A;RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交13单+
AUIRF1010ZS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672504
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;60V;150A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交24单+
STD45NF75T4-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044667850
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;100V;45A;RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
2500:¥2.3893
7500:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥5973.25
近期成交9单+
DMNH4015SSDQ-13-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044686080
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;40V;13A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交7单+
IXFH26N60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044677754
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交11单+
7N60M2-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044675819
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;10A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交32单+
60N65M5-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044682784
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;47A;RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥15.9147
900:¥15.5964
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥4774.41
近期成交46单+
NVMFD5C462NLT1G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044686426
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6)-B;N+N—Channel沟道;40V;60A;RDS(ON)=5.5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.1V;采用Trench技术;
5000:¥3.7227
15000:¥3.6483
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥18613.50
近期成交35单+
