AOT240L-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044667224
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;40V;110A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交7单+
TSM250NB06LDCR-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044683266
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6)-B;N+N—Channel沟道;60V;40A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥2.6560
15000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥13280.00
近期成交15单+
BUK7508-40B-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670205
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;40V;110A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交42单+
FCP4N60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678678
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;600V;8A;RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交12单+
2SK1540S-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044677582
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;12A;RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交6单+
QM3004SM3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044685555
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);N—Channel沟道;30V;30A;RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.3333
15000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥6666.50
近期成交35单+
SFT1450-TL-H-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044672521
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;40V;55A;RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
4000:¥1.0026
12000:¥0.9828
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4010.40
近期成交14单+
RSS070P05-TB-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044668003
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-40V;16.1A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交39单+
APM2305AC-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044674302
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-30V;-5.6A;RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交44单+
NIMD6001NR2G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 8000
类目:
编号:B000044685186
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;60V;7A;RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
8000:¥1.4613
24000:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 8000增量: 8000
小计: ¥11690.40
近期成交17单+
B6NK60Z-VBTO263
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672801
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;10A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交19单+
PSMN2R8-80BS,118-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678125
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;80V;215A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交19单+
MTP12N10E-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044669005
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;100V;18A;RDS(ON)=127(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交27单+
STB140NF75T4-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044673230
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;80V;120A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交5单+
IRF9328TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044674447
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-30V;-11.6A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;采用Trench技术;
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交12单+
NVBLS1D5N10MCTXG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2000
类目:
编号:B000044683141
描述:台积电流片,长电科技封装;TOLL;N—Channel沟道;100V;350A;RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
2000:¥7.9573
6000:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2000增量: 2000
小计: ¥15914.60
近期成交2单+
NTMFS5C404NLT3G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044677313
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;40V;250A;RDS(ON)=0.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用SGT技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交30单+
FDS2734-NL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044670699
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道;200V;3A;RDS(ON)=260(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交48单+
IPD50N04S3-08-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044667142
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;40V;85A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交43单+
FDMS7670AS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 5000
类目:
编号:B000044684445
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.9947
15000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9973.50
近期成交20单+
SQP50N06-09L-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044666606
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;60A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交4单+
FI820G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674499
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2560(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交34单+
4N60KL-TF3-T-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678642
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2560(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交35单+
FDD8647L-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044668414
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;40V;85A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交1单+
RS7G200CH-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044675759
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;40V;250A;RDS(ON)=0.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用SGT技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交37单+
VBN1606
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044669510
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;60V;120A;RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交5单+
IXFR64N60P-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044677682
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;47A;RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥15.9147
900:¥15.5964
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥4774.41
近期成交30单+
SUP60030E-GE3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044684485
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;80V;180A;RDS(ON)=2.9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用SGT技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交16单+
IRF7506-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044682241
描述:台积电流片,长电科技封装;MSOP8;P+P—Channel沟道;-30V;-6A;RDS(ON)=38(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.6000
12000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥6400.00
近期成交44单+
HM7N60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044677702
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;600V;8A;RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交49单+
