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原厂专卖
2SJ389-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044677845
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-30A；RDS(ON)=61(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交5单+
IRF7205TRPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044677927
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-5.8A；RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
4000:¥0.6720
12000:¥0.6586
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥2688.00
近期成交23单+
5N60-VBTO252
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044666586
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交39单+
IRFR210PBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044666839
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；200V；5A；RDS(ON)=850(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
2500:¥1.0667
7500:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2666.75
近期成交24单+
VBI1202K
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044680407
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT89；N—Channel沟道；200V；1A；RDS(ON)=1600(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交7单+
RTR025N03TL-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044671047
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交34单+
VBM155R09
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044672643
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；550V；9A；RDS(ON)=1000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.2V；采用Planar技术；
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交36单+
6R190C6-VBTO262
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044681263
描述：台积电流片，长电科技封装；TO262；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥7.2961
3000:¥7.1502
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥7296.10
近期成交22单+
VBM16R02
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044685416
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；2A；RDS(ON)=4800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交34单+
HM75N07K-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673003
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；97A；RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
2500:¥2.3893
7500:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥5973.25
近期成交24单+
SM1A23DSK-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044683375
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N+N—Channel沟道；100V；5.8A；RDS(ON)=63(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交26单+
30N02-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672735
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；70A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交33单+
STD110N8F6-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044678017
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；80V；120A；RDS(ON)=4.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交6单+
HM4435B-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044668338
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-9A；RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
4000:¥0.8640
12000:¥0.8466
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3456.00
近期成交3单+
TW048U65C-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2000
类目：
编号：B000044676587
描述：台积电流片，长电科技封装；SIC;TOLL-HV；N—Channel沟道；650V；35A；RDS(ON)=55(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +20V；Vthtyp(V)=1.5~4.5V；采用SiC技术；
2000:¥19.8933
6000:¥19.4954
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2000增量: 2000
小计: ¥39786.60
近期成交16单+
SCT040W65G3-4-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044677688
描述：台积电流片，长电科技封装；SIC;TO247-4L；N—Channel沟道；650V；40A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；Vthtyp(V)=-10 / +20V；Vthtyp(V)=2~5；采用SiC技术；
300:¥15.9147
900:¥15.5964
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥4774.41
近期成交48单+
FS14VS-10-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044673387
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交9单+
IRLU2705PBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 4000
类目：
编号：B000044672811
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；60V；35A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交21单+
NCE0260P-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044675542
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；200V；96A；RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=4V；采用Trench技术；
300:¥10.6133
900:¥10.4012
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥3183.99
近期成交13单+
RFP50N06LE-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675364
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；60V；60A；RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交28单+
HM10N60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678239
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交6单+
K15A60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044685914
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=320(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交37单+
FQI7N60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678272
描述：台积电流片，长电科技封装；TO262；N—Channel沟道；650V；7A；；RDS(ON)=1300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交1单+
PSMN5R0-100BS-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044675399
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；100A；RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交33单+
BUK453-60A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044668710
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；60V；20A；RDS(ON)=72(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.1307
3000:¥1.1081
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1130.70
近期成交27单+
HMS11N65F-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044679942
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=320(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交25单+
STD18NF03LT4-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044671516
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；70A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交49单+
IRFU320PBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044683300
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；650V；5A；RDS(ON)=950(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
4000:¥1.9947
12000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7978.80
近期成交36单+
BSZ165N04NSG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044667041
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；40V；28A；RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
5000:¥1.8666
15000:¥1.8294
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9333.00
近期成交18单+
Si1024X-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044668162
描述：台积电流片，长电科技封装；SC75-6；N+N—Channel沟道；20V；0.6A；RDS(ON)=300(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
3000:¥0.4053
9000:¥0.3973
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1215.90
近期成交3单+