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原厂专卖
Si1024X-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044668162
描述：台积电流片，长电科技封装；SC75-6；N+N—Channel沟道；20V；0.6A；RDS(ON)=300(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
3000:¥0.4053
9000:¥0.3973
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1215.90
近期成交16单+
HUF75631P3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044684238
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；100V；55A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交34单+
AO4314-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044671707
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；30V；18A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.1307
12000:¥1.1081
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4522.80
近期成交43单+
AP15NA7R5I-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044676505
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
1000:¥5.3120
3000:¥5.2058
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥5312.00
近期成交42单+
NCEP023N10D-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044685829
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；350A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥6.6346
3000:¥6.5020
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥6634.60
近期成交13单+
FDD6680AS-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672552
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；70A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交27单+
AUFSL3607-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044685170
描述：台积电流片，长电科技封装；TO262；N—Channel沟道；80V；85A；RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交8单+
UT3400G-AE3-R-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044679883
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交30单+
DTP20N60SJ-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675753
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥6.6346
3000:¥6.5020
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥6634.60
近期成交27单+
2SK3914-01-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674195
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交22单+
SiHB12N60E-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044669411
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交48单+
FDB075N15A-F085-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678192
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
1000:¥5.3120
3000:¥5.2058
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥5312.00
近期成交5单+
STP4407-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044668985
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-11.6A；RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2.5V；采用Trench技术；
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交18单+
STD26P3LLH6-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673208
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；70A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交36单+
AUIRFS3307Z-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674470
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；80V；215A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥3.5840
3000:¥3.5122
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3584.00
近期成交47单+
SI4168DY-T1-E3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044673243
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；30V；25A；RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.9947
12000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7978.80
近期成交3单+
DMP4047SK3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044685832
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-40V；-40A；RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交7单+
BSZ130N03MSG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044678518
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；30V；30A；RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
5000:¥1.3333
15000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥6666.50
近期成交29单+
FQD2N60CTF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044682713
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交34单+
IXTP20N65X-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044683182
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交1单+
VBA3860
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044669088
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N+N—Channel沟道；80V；3.5A；RDS(ON)=62(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥2.3893
12000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥9557.20
近期成交40单+
SCT4090KE-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044685843
描述：台积电流片，长电科技封装；SIC;TO247；N—Channel沟道；1200V；30A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +22V；Vthtyp(V)=2~4V；采用SiC-S技术
300:¥19.8933
900:¥19.4954
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥5967.99
近期成交16单+
BUK9675-55A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044666467
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；60V；50A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交11单+
D7N60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044685002
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；7A；RDS(ON)=700(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交31单+
IXTQ30N50P-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 300
类目：
编号：B000044681756
描述：台积电流片，长电科技封装；TO3P；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=190(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥10.6133
900:¥10.4012
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥3183.99
近期成交38单+
AP9974GH-HF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044669313
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；58A；RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交3单+
aon6292-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044673310
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；100V；105A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
5000:¥3.3172
15000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥16586.00
近期成交44单+
TN2404K-T1-E3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044671242
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；200V；0.6A；RDS(ON)=1400(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
3000:¥0.8000
9000:¥0.7840
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥2400.00
近期成交30单+
9NB60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674729
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交50单+
07N60C2-VBTO263
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678019
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交9单+