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原厂专卖
AP6NA2R5H-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044682455
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；120A；RDS(ON)=3.4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
2500:¥2.9226
7500:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥7306.50
近期成交39单+
BUK436-60A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 300
类目：
编号：B000044682019
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；60V；150A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交15单+
NDD04N50ZT4G-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044667789
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交19单+
2SK3760-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044679610
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交8单+
2SK2605_06-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674920
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；850V；5A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交20单+
E10P02-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044673179
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-20V；-13A；RDS(ON)=15(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
4000:¥0.8640
12000:¥0.8466
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3456.00
近期成交34单+
FQPF20N06L-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044676440
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；60V；45A；RDS(ON)=27(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.4613
3000:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1461.30
近期成交36单+
CEP13N5-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044684964
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；18A；RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交47单+
PSMN3R3-80ES-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044678496
描述：台积电流片，长电科技封装；TO262；N—Channel沟道；80V；85A；RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥3.3172
3000:¥3.2510
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3317.20
近期成交28单+
BUK969R0-60E,118-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044681073
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；60V；150A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交49单+
SI4102DY-T1-E3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044676560
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；100V；4.2A；RDS(ON)=124(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交29单+
SCT3040KR-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044680016
描述：台积电流片，长电科技封装；SIC;TO247-4L；N—Channel沟道；1200V；60A；RDS(ON)=40(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ)；VGS=-10 / +22V；Vthtyp(V)=2~4V；采用SiC-S技术
300:¥23.8720
900:¥23.3945
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥7161.60
近期成交9单+
RJK0631JPD-00-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044671355
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；58A；RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交6单+
CSD19536KTTT-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044684974
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；350A；RDS(ON)=1.2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥6.6346
3000:¥6.5020
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥6634.60
近期成交26单+
TK15A60D-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044673354
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；600V；12A；RDS(ON)=330(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交24单+
TK39N60W-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044668116
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；47A；RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥19.8933
900:¥19.4954
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥5967.99
近期成交20单+
FQPF16N60-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044666846
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；650V；9A；RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交46单+
J313-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044682496
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；P—Channel沟道；-200V；-7A；RDS(ON)=1000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2.5V；采用Trench技术；
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交34单+
SUD40N04-10A-E3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672756
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；40V；85A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交49单+
IRF720STRLPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044685198
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交9单+
IRFP9140PBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044676361
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；P—Channel沟道；-100V；-21A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
300:¥3.9786
900:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥1193.58
近期成交10单+
2SK2776-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044677614
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；10A；RDS(ON)=830(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交37单+
2SJ366-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044681003
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-30A；RDS(ON)=61(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交16单+
VBA3205
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044681841
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N+N—Channel沟道；20V；19.8A；RDS(ON)=3.8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
4000:¥1.6000
12000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥6400.00
近期成交13单+
AO4818B-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044671871
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N+N—Channel沟道；30V；8.5A；RDS(ON)=16(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交26单+
BUK7675-100A,118-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675875
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；45A；RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交40单+
SIJ438DP-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044681633
描述：台积电流片，长电科技封装；LFPAK56；N—Channel沟道；40V；150A；RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交36单+
CET4435A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672353
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT223；P—Channel沟道；-40V；-6.2A；RDS(ON)=40(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交40单+
SM1A11NSU-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044680629
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；40A；RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
5000:¥1.9947
15000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9973.50
近期成交41单+
SI2307BDS-T1-GE3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044678348
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-30V；-5.6A；RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交10单+