4P03L11-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044671923
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;P—Channel沟道;-30V;-70A;RDS(ON)=8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;采用Trench技术;
1000:¥1.8666
3000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1866.60
近期成交26单+
ZXMN7A11GTA-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044677933
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT223;N—Channel沟道;60V;4.5A;RDS(ON)=76(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.8000
7500:¥0.7840
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2000.00
近期成交17单+
04N60C2-VBTO263
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672824
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;10A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交6单+
NTB90N02G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044675395
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;30V;98A;RDS(ON)=2.4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交23单+
BUK427-500A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044685645
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;9A;RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交36单+
DMN60H080DS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 300
类目:
编号:B000044679982
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;650V;1A;RDS(ON)=8400(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
300:¥0.6399
900:¥0.6273
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥191.97
近期成交28单+
2SK2414-Z-E2-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044677368
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;18A;RDS(ON)=73(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交18单+
SI7850DP-T1-E3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044672549
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;60V;15A;RDS(ON)=24(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.7280
15000:¥1.6935
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥8640.00
近期成交45单+
SI4532DY-NL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044676022
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+P—Channel沟道;±30V;±8A;RDS(ON)=18/40(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.6/-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交7单+
SP8K4-TB-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044674958
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;30V;13.5A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交44单+
VBL2609
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672737
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;P—Channel沟道;-60V;-110A;RDS(ON)=6.5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-3V;采用Trench技术;
1000:¥4.5120
3000:¥4.4218
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4512.00
近期成交29单+
G01N60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044678047
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交32单+
2SJ174-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670934
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;P—Channel沟道;-60V;-45A;RDS(ON)=48(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交48单+
PSMN1R8-30PL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044667465
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;30V;140A;RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交44单+
AM4392N-T1-PF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044669342
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道;200V;3A;RDS(ON)=260(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交14单+
3N62K3-VBTO251
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044680374
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交42单+
SUP75N05-07-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044673505
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;120A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交22单+
IRFBC30LPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044682964
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交16单+
4N65G-TA3-T-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679657
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交12单+
IPP77N06S2-12-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670468
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;60V;60A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交40单+
IRF7862TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044669057
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道;30V;18A;RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.1307
12000:¥1.1081
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4522.80
近期成交20单+
SI7404DN-T1-E3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044675892
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(3X3);N—Channel沟道;30V;30A;RDS(ON)=13(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.3333
15000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥6666.50
近期成交27单+
BSR315P-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044682072
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-60V;-5.2A;RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.6720
9000:¥0.6586
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥2016.00
近期成交14单+
HUFA75852G3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044681741
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;150V;150A;RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
300:¥9.3013
900:¥9.1154
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2790.39
近期成交3单+
RJJ0319DSP-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044671009
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P—Channel沟道;-30V;-9A;RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.8640
12000:¥0.8466
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3456.00
近期成交19单+
STP45N10F7-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678001
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;100V;70A;RDS(ON)=17(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交17单+
FDD45AN06A0-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044672664
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;45A;RDS(ON)=25(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交23单+
H06N60-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044673909
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;600V;8A;RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交4单+
FCH165N65S3R0-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044669249
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交14单+
RT0603DRD07300RL
厂牌:YAGEO
包装:--
类目:
编号:B000044687115
描述:Thin Film Resistors - SMD 300 OHM .5% 25PPM 1/10W
1:¥0.8207
10:¥0.2216
100:¥0.2133
500:¥0.2052
5000:¥0.1806
10000:¥0.1642
交期:4-7天
库存:8923
批次:--
起订: 1增量: 1
小计: ¥0.82
近期成交13单+
