HM7N80F-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674240
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;800V;5A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交36单+
IRF8915TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044668023
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;20V;7.1A;RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V;VGS=±12V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
4000:¥0.8000
12000:¥0.7840
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3200.00
近期成交21单+
IRF3709ZLPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044676684
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;30V;90A;RDS(ON)=3.4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交41单+
AP02N60I-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044679598
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;2A;RDS(ON)=1700(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交13单+
AP2320GN-HF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044677518
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;100V;0.26A;RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.5V;采用Trench技术;
3000:¥0.2026
9000:¥0.1985
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥607.80
近期成交9单+
SM4513NHKP-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044668343
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.9947
15000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥9973.50
近期成交42单+
IPT020N10N3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2000
类目:
编号:B000044675298
描述:台积电流片,长电科技封装;TOLL;N—Channel沟道;100V;200A;RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
2000:¥6.6346
6000:¥6.5020
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2000增量: 2000
小计: ¥13269.20
近期成交25单+
QM3112M6-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044678619
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;160A;RDS(ON)=1.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥2.3893
15000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥11946.50
近期成交24单+
IPP023NE7N3GXKSA1-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044685926
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;80V;180A;RDS(ON)=2.9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用SGT技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交31单+
BSC030N03MSG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044678171
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;80A;RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.6000
15000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥8000.00
近期成交36单+
IPD35N10S3L-26-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044675306
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;100V;40A;RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
2500:¥1.9947
7500:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4986.75
近期成交5单+
IRF654A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044674181
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;250V;14A;RDS(ON)=190(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交38单+
IRFH7921TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044672208
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;80A;RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥1.6000
15000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥8000.00
近期成交14单+
ZVP4525ZTA-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044679466
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT89;P—Channel沟道;-200V;-1.8A;RDS(ON)=800(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-3V;采用Trench技术;
1000:¥1.3333
3000:¥1.3066
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1333.30
近期成交17单+
FDD8782-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044673615
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;30V;70A;RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交14单+
AUIRLR024NTRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044674413
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;18A;RDS(ON)=73(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交23单+
IRFU5410PBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044667311
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;P—Channel沟道;-100V;-16A;RDS(ON)=100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交25单+
SPP73N03S2L-08-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044676313
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交32单+
2SK2991(SM,Q)-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678775
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;7A;RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交44单+
SCT060HU75G3AG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044681640
描述:台积电流片,长电科技封装;SIC;TO263-7L-HV;N—Channel沟道;650V;35A;RDS(ON)=55(mΩ)@VGS=18Vtyp(mΩ);VGS=-10 / +20V;Vthtyp(V)=1.5~4.5V;采用SiC技术;
1000:¥19.8933
3000:¥19.4954
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥19893.30
近期成交41单+
AO6424A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044666433
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-6;N—Channel沟道;30V;6A;RDS(ON)=26(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.5334
9000:¥0.5227
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥1600.20
近期成交20单+
4P03L07-VBTO252
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044680580
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-30V;-60A;RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;采用Trench技术;
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交11单+
FDP6670AL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670526
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;30V;120A;RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交32单+
ME4970-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044668064
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;30V;8.5A;RDS(ON)=16(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥0.9387
12000:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3754.80
近期成交15单+
SW22N65D-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044685347
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交43单+
FDU6N50TU-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 4000
类目:
编号:B000044674842
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;5A;RDS(ON)=950(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
4000:¥1.9947
12000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7978.80
近期成交27单+
FDD26AN06A0-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044672463
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;45A;RDS(ON)=25(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交43单+
ISU04N65A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044683040
描述:台积电流片,长电科技封装;TO251;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交3单+
VB125N5K
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044684663
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;250V;0.3A;RDS(ON)=1500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
3000:¥2.6560
9000:¥2.6028
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥7968.00
近期成交27单+
IXFH34N60X2A-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 300
类目:
编号:B000044683390
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;650V;36A;RDS(ON)=75(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
300:¥14.3253
900:¥14.0388
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥4297.59
近期成交36单+
