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原厂专卖
AOD3N50-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672482
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交16单+
IRFB4019PBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044670798
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；200V；30A；RDS(ON)=110(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥2.3893
3000:¥2.3416
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2389.30
近期成交25单+
ME45P04-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673660
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-40V；-50A；RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交33单+
FDD120AN15A0-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044673301
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；150V；25.4A；RDS(ON)=74(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
2500:¥1.8666
7500:¥1.8294
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4666.50
近期成交8单+
FQD60N03LTM-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044672367
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；70A；RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交47单+
25P03LG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044669047
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-30V；-38A；RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交15单+
IPW60R180P7-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044669692
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；600V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥7.9573
900:¥7.7982
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥2387.19
近期成交4单+
IPA70R360P7S-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675251
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；700V；15A；RDS(ON)=340(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥6.6346
3000:¥6.5020
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥6634.60
近期成交6单+
IPP042N03LG-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044669587
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；30V；120A；RDS(ON)=3(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.6000
3000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1600.00
近期成交7单+
SI7489DP-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044672511
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道；-100V；-28A；RDS(ON)=32(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交32单+
2SK3434-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044674777
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；60V；60A；RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交33单+
VBZMB5N70S
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 1000
类目：
编号：B000044680985
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；700V；5A；RDS(ON)=1100(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
1000:¥2.6560
3000:¥2.6028
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2656.00
近期成交21单+
SSM3K7002F-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044669684
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；60V；0.3A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.1387
9000:¥0.1358
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥416.10
近期成交49单+
IRFR5305TRPBF&58-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044674260
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-35A；RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
2500:¥1.6000
7500:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥4000.00
近期成交40单+
AOK29S50-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 300
类目：
编号：B000044669413
描述：台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；500V；30A；RDS(ON)=120(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
300:¥10.6133
900:¥10.4012
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥3183.99
近期成交31单+
G33N03D3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 5000
类目：
编号：B000044686226
描述：台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)-B；N+N—Channel沟道；30V；30A；RDS(ON)=8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=48V；采用Trench技术；
5000:¥1.6000
15000:¥1.5680
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥8000.00
近期成交35单+
BUK7626-100B-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044671292
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；70A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交7单+
SI4435DYTRPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044666999
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-9A；RDS(ON)=18(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
4000:¥0.8640
12000:¥0.8466
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3456.00
近期成交34单+
TK11P65W-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044670395
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；700V；11A；RDS(ON)=390(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
2500:¥3.8507
7500:¥3.7737
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥9626.75
近期成交29单+
2SK4212A-ZK-E1-AY-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044666435
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；30V；80A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交5单+
RU40E25L-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044668916
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；40V；55A；RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
2500:¥1.1946
7500:¥1.1708
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2986.50
近期成交24单+
APM2317AC-TRL-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044667639
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-4A；RDS(ON)=60(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
3000:¥0.1600
9000:¥0.1568
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥480.00
近期成交20单+
BSC090N03LS-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 4000
类目：
编号：B000044668053
描述：台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；20V；13A；RDS(ON)=8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
4000:¥0.8000
12000:¥0.7840
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥3200.00
近期成交8单+
AOTF11N62-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044679193
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220F；N—Channel沟道；650V；12A；RDS(ON)=680(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交21单+
MTB09P04DJ3-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 2500
类目：
编号：B000044667782
描述：台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-40V；-90A；RDS(ON)=6.8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
2500:¥2.9226
7500:¥2.8642
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥7306.50
近期成交24单+
2N7002LT1G-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tape 3000
类目：
编号：B000044675173
描述：台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；60V；0.3A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
3000:¥0.1387
9000:¥0.1358
交期：2days
库存：30000
批次：26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥416.10
近期成交27单+
BUZ41A-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044675008
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交17单+
STU75N3LLH6-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 4000
类目：
编号：B000044671507
描述：台积电流片，长电科技封装；TO251；N—Channel沟道；30V；100A；RDS(ON)=3.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
4000:¥1.1307
12000:¥1.1081
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4522.80
近期成交38单+
IRFB31N20DPBF-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044669459
描述：台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；200V；35A；RDS(ON)=58(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交1单+
FDB6030AL-M-VB
厂牌：VBsemi(微碧半导体)
包装：Tube 1000
类目：
编号：B000044671389
描述：台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；30V；50A；RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
1000:¥1.7280
3000:¥1.6935
交期：5days
库存：30000
批次：26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1728.00
近期成交41单+