APT12F60K-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044676951
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;650V;9A;RDS(ON)=500(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
1000:¥4.6507
3000:¥4.5576
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥4650.70
近期成交43单+
FDS4672A-NL-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044670437
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道;40V;10A;RDS(ON)=14(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;采用Trench技术;
4000:¥1.0667
12000:¥1.0454
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥4266.80
近期成交43单+
NTD25P03LT4G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044667712
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-30V;-38A;RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交35单+
HMS4438-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044674071
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道;60V;12A;RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.3333
12000:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥5333.20
近期成交41单+
BSC110N15NS5ATMA1-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044666486
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;150V;70A;RDS(ON)=13.5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交47单+
BSC042N03LSG-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 5000
类目:
编号:B000044680688
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);N—Channel沟道;30V;160A;RDS(ON)=1.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥2.3893
15000:¥2.3416
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥11946.50
近期成交20单+
MTP6N60E-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044670949
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;600V;8A;RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.1226
3000:¥2.0802
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2122.60
近期成交17单+
SSM3K335R-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044667615
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;30V;6.5A;RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交13单+
DPF10N50FT-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044678976
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220F;N—Channel沟道;650V;10A;RDS(ON)=830(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交26单+
SI2323DDS-T1-GE3-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044667617
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-30V;-5.6A;RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交31单+
IRF3709ZS-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044666658
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;30V;98A;RDS(ON)=2.4(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交46单+
2SK1315S-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044681059
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;650V;18A;RDS(ON)=430(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交5单+
AP86T02GH-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044674019
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;30V;100A;RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥1.4613
7500:¥1.4320
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3653.25
近期成交19单+
RJK1008DPE-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044666506
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;100V;100A;RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥2.9226
3000:¥2.8642
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥2922.60
近期成交9单+
IPD60R380E6-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044685463
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;11A;RDS(ON)=370(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用SJ_Multi-EPI技术;
2500:¥3.3172
7500:¥3.2510
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥8293.00
近期成交44单+
BUK7Y1R4-40H-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044673142
描述:台积电流片,长电科技封装;LFPAK56;N—Channel沟道;40V;150A;RDS(ON)=0.7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
5000:¥3.9786
15000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥19893.00
近期成交10单+
IRLML9303TRPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044668095
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;P—Channel沟道;-30V;-5.6A;RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交50单+
IRFR420ATRLPBF-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044684911
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;650V;4A;RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;采用Planar技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交5单+
HP8KC7-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 5000
类目:
编号:B000044684972
描述:台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6)-B;N+N—Channel沟道;60V;40A;RDS(ON)=11(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
5000:¥2.6560
15000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 5000增量: 5000
小计: ¥13280.00
近期成交45单+
RU60E16L-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044668047
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;60V;18A;RDS(ON)=73(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
2500:¥0.9387
7500:¥0.9199
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥2346.75
近期成交22单+
STB200NF04T4-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044672819
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;40V;100A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;采用Trench技术;
1000:¥1.9947
3000:¥1.9548
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1994.70
近期成交20单+
BUK7E4R6-60E,127-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044677699
描述:台积电流片,长电科技封装;TO262;N—Channel沟道;60V;210A;RDS(ON)=2.8(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;采用Trench技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交27单+
FR9120N-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044670566
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-100V;-8.8A;RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
2500:¥1.3333
7500:¥1.3066
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥3333.25
近期成交3单+
AUFP2907Z-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 300
类目:
编号:B000044685896
描述:台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道;80V;215A;RDS(ON)=2.9(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.14V;采用SGT技术;
300:¥4.6507
900:¥4.5576
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 300增量: 300
小计: ¥1395.21
近期成交17单+
ZXMP6A18DN8TA-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044670741
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;P+P—Channel沟道;-60V;-5.3A;RDS(ON)=54(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术;
4000:¥1.8666
12000:¥1.8294
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥7466.40
近期成交38单+
VBA3615
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 4000
类目:
编号:B000044671684
描述:台积电流片,长电科技封装;SOP8;N+N—Channel沟道;60V;10A;RDS(ON)=12(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
4000:¥2.6560
12000:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 4000增量: 4000
小计: ¥10624.00
近期成交10单+
50N03-VBTO220
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tube 1000
类目:
编号:B000044671420
描述:台积电流片,长电科技封装;TO220;N—Channel沟道;30V;70A;RDS(ON)=7(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
1000:¥1.1946
3000:¥1.1708
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥1194.60
近期成交19单+
NCEP85T14WD-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 1000
类目:
编号:B000044684420
描述:台积电流片,长电科技封装;TO263;N—Channel沟道;80V;150A;RDS(ON)=3.1(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用SGT技术;
1000:¥3.9786
3000:¥3.8992
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 1000增量: 1000
小计: ¥3978.60
近期成交35单+
NVD6828NLT4G-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 2500
类目:
编号:B000044678686
描述:台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道;80V;75A;RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;采用Trench技术;
2500:¥2.6560
7500:¥2.6028
交期:5days
库存:30000
批次:26+
起订: 2500增量: 2500
小计: ¥6640.00
近期成交34单+
XP151A11B0MR-VB
厂牌:VBsemi(微碧半导体)
包装:Tape 3000
类目:
编号:B000044675132
描述:台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;30V;6.5A;RDS(ON)=30(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.7V;采用Trench技术;
3000:¥0.2453
9000:¥0.2405
交期:2days
库存:30000
批次:26+
起订: 3000增量: 3000
小计: ¥735.90
近期成交6单+
